Зазвичай напівпровідникові пристрої, як-от транзистори, мають фіксовані властивості. Однак за допомогою сполуки азобензену (Azo) ці властивості можна оптично змінювати, опромінюючи їх ультрафіолетовим світлом. Це продемонстровано в нещодавній публікації [Jaehoon Ji] та співавт. у журналі Science Advances, з додатковим висвітленням від Прінстонського університету.
На основі попередніх досліджень, наприклад, пластівців MoS2 з фотохромними молекулами Azo, було створено функціональний напівпровідниковий пристрій. Він використовує моношар дихалькогеніду перехідного металу (TMD) у поєднанні зі сполукою Azo, яка змінює електричні та оптичні властивості структури.
Як для n-, так і для p-типу напівпровідників FET було продемонстровано, що використання видимого та УФ-світла може змінювати концентрацію носіїв заряду в матеріалі, фактично змінюючи поведінку FET.
Хоча це, звісно, лише доказ концепції, це показує, що за допомогою молекул (Azo), які можуть реагувати на певні частоти електромагнітного випромінювання, електричні поля, температуру тощо, можна створювати напівпровідникові пристрої, чия поведінка динамічно змінюється під впливом цих факторів. Це потенційно може надати нові способи створення програмованих схем і датчиків.